4月29日消息，首术突据中国香港南华早报报道，席科学我国研究人员已经建立了一个运行参数具有国际竞争力的林楠EUV光源实验平台，对于我们自主研发半导体的推动极紫外线光刻机（EUV）及其关键器件与技术意义重大，表明我们有望突破自主生产先进芯片的国产障碍。

4月29日消息，首术突据中国香港南华早报报道，席科学我国研究人员已经建立了一个运行参数具有国际竞争力的林楠EUV光源实验平台，对于我们自主研发半导体的推动极紫外线光刻机（EUV）及其关键器件与技术意义重大，表明我们有望突破自主生产先进芯片的国产障碍。

在《中国激光》杂志今年第6期所刊的首术突一篇研究论文，研究来自中国科学院上海光学精密机械研究所的席科学团队，由林楠领导，林楠林南曾任荷兰光刻机巨头阿斯麦公司（ASML）光源技术部门负责人。推动

林楠团队的国产这篇论文称，他们成功开发出LPP-EUV光源，这是光刻机的核心部件，可能将成为中国半导体行业的一个重大突破。在所建立的固体激光驱动等离子体极紫外LPP-EUV）光源实验平台上，最大转换效率可接近6%，所得结果处于国际靠前、国内领先水平。

目前商用二氧化碳激光驱动的EUV光源转换效率约为5.5%，林楠团队使用1 μm固体激光实现3.42%的最大转换效率，超过了荷兰纳米光刻高级研究中心（ARCNL）在2019年记录的3.2%和瑞士苏黎世联邦理工学院在2021年记录的1.8%。

值得注意的是，在本月的一次投资者电话会议上，阿斯麦CEO富凯曾声称，中国确实有可能制造出EUV光源，但要造出完整的EUV光刻机，还需要很多很多年时间。